Войти с помощью:


Лабараторные работы по физико-химическим основам технологий электронных средств
13-04-2011, 23:15 | Автор: NickSan | Категория: ФХОТЭС / Лабы по ФХОТЭС
    Не нравится +10 Нравится



Фхотэс лабы. Седов ОГТУ

Лабораторные работы по физико-химическим основам технологий электронных средств


реподаватель: Седов
Университет: ГУ УНПК

1. Основные положения хим. термодинамики. Энтропия, энтальпия, свободная энергия Гиббса.
2. Энергия Гиббса образования вещества.
3. Энергия Гиббса химической реакции.
4. Химический потенциал.
5. Термодинамика растворов.
6. Концентрация растворов.
7. Сольваты, гидраты, кристаллогидраты.
8. Закон Вант-Гоффа.
9. Растворы электролитов. Изотонический коэффициент.
10. Теория электролитов Аррениуса.
11. Степень диссоциации электролитов.
12. Константы химического равновесия.
13. Гетерогенные химические равновесия. Влияние температуры на константу хим. равновесия. Принцип Ле Шателье.
14. Транспортные хим. реакции.
15. Правило фаз Гиббса.
16. Фазовые превращения однокомпонентных систем.
17. Диаграмма плавкости двухкомпонентной системы с простой эвтектикой (компоненты не растворимы в твердом состоянии).
18. Диаграмма плавкости двухкомпонентной системы с неограниченной взаимной растворимостью в жидком и твердом состоянии.
19. Диаграмма плавкости твердых растворов с ограниченной растворимостью.
20. Диаграмма плавкости двухкомпонентной системы с образованием химического соединения.
21. Поверхностное натяжение.
22. Адсорбция.
23. Смачивание.
24. Адгезия.
25. Диффузионное легирование.
26. Механизм диффузии.
27. Техника выполнения диффузионного легирования.
28. Процессы взаимодействия ионов с веществом. Каналирование.
29. Механизмы потерь энергии при взаимодействии иона с веществом.
30. Ультразвуковая отмывка.
31. Термодинамическая модель механизма зарождения и роста пленок.
32. Особенности роста пленок. Эпитаксия.
33. Фотолитография.
34. Фотохимические реакции.


Скачать:
fhotes-laby.sedov.ogtu.zip [53,62 Kb] (cкачиваний: 149)

Содержит:

Цель работы: изучение закономерностей эпитаксиального роста тонких пленок из спиртового раствора йодистого калия.
Цель работы: определение постоянной кристаллической решетки меди и ?-железа с помощью рентгенограмм.
Цель работы: изучение методики определения степени интеграции микросхем.
Цель работы: ознакомиться с принципами создания активных элементов.


Поделиться:
Просмотров: 2 437  |  Комментариев: (0)  |  | Обсудить на форуме Обсудить на форуме
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.