Top.Mail.Ru
Войти с помощью:


Ответы на экзаменационный тест по материаловедению. ОГТУ
    Не нравится +17 Нравится



Ответы на тест по материаловедению.


ОГТУ
преподаватель: Косчинская.
гр. 32-В

Скачать:
programma-ekzamena-2010.doc [127 Kb] (cкачиваний: 5979)
 
Просмотр(открыть спойлер)

Просмотр:

Содержание задания

(правильные ответы выделены курсивом)

1. Основы материаловедения


1. Для кристаллического состояния вещества характерны:

а) высокая электропроводность;

б) анизотропия свойств;

в) высокая пластичность;

г) коррозионная устойчивость.


2. Твердое тело, представляющее собой совокупность неориентированных  относительно друг друга зерен-кристаллитов, представляет собой:

а) текстуру;

б) поликристалл;

в) монокристалл;

г) композицию.


3. Кристалл формируется путем правильного повторения микрочастиц (атомов, ионов, молекул) только по одной координате:

а) верно;

б) верно только для монокристаллов;

в) неверно;

г) верно только для поликристаллов.


4. Для аморфных материалов характерно:

а) наличие фиксированной точки плавления;

б) наличие температурного интервала плавления;

в) отсутствие способности к расплавлению.


5. Вещество, состоящее из атомов одного химического элемента, называется:

а) химически чистым;

б) химически простым;

в) химическим соединением.


6. Вещество, состоящее из однородных атомов или молекул, и содержащее некоторое количество другого вещества, не превышающее заданного значения, называется:

а) химически чистым;

б) химически простым;

в) химическим соединением.


7. Укажите виды точечных статических дефектов кристаллической структуры:

а) дислокации;

б) вакансии;

в) фононы;

г) междоузлия.


8. Укажите основные характеристики структуры материала:

а) концентрация носителей заряда;

б) степень упорядоченности расположения микрочастиц;

в) наличие и концентрация дефектов;

г) электропроводность.

9. Способность некоторых твердых веществ образовывать несколько типов кристаллических структур, устойчивых при различных температурах и давлениях, называется:

а) полиморфизмом;

б) поляризацией;

в) анизотопией;

г) изотропией.


10. Укажите тип химической связи, который обеспечивает максимальную концентрацию носителей заряда без приложения внешних энергетических воздействий:

а) ионная;

б) ковалентная;

в) металлическая;

г) водородная.


2. Свойства материалов


1. Способностью сопротивляться внедрению в поверхностный слой другого более твердого тела обладают:

а) хрупкие материалы;

б) твердые материалы;

в) пластичные материалы;

г) упругие материалы.


2. Свойства материалов, характеризующие их поведение при обработке, называются:

а) эксплуатационными;

б) технологическими;

в) потребительскими;

г) механическими.


3. К теплофизическим свойствам материалов ЭС относятся:

а) теплопроводность;

б) электропроводность;

в) тепловое расширение;

г) светопропускание.


4. Проявлением какого вида свойств материалов является стойкость к термоударам:

а) механических;

б) химических;

в) теплофизических;

г) химических.


5. К электрическим параметрам материалов ЭС относятся:

а) концентрация носителей заряда;

б) теплопроводность;

в) подвижность носителей заряда;

г) электропроводность.


6. Деформируемость является одним из:

а) эксплуатационных свойств;

б) технологических свойств;

в) потребительских свойств.


7. Потребительскими называют свойства материалов:

а) определяющие их пригодность для создания изделий  заданного качества;

б) характеризующие их поведение при обработке;

в) характеризующие их применимость в данной эксплуатационной области.


8. Укажите стадии реакции хрупких материалов на нагружение:

а) упругая деформация;

б) пластическая деформация;

в) разрушение.


9.Нагревостойкость – это:

а) способность хрупких материалов выдерживать без разрушения резкие смены температуры;

б) способность материалов сохранять без изменения химический состав и структуру молекул при повышении температуры;

в) способность материалов отводить тепло, выделяющееся при работе электронного компонента.


10. Магнитные свойства материалов обусловлены:

а) вращением электронов вокруг собственной оси;

б) взаимным притяжением ядра атома и электронов;

в) орбитальным вращением электронов.


3. Устойчивость материалов к воздействию внешней рабочей среды


1. Для повышения устойчивости материалов к воздействию окружающей среды могут использоваться следующие покрытия:

а) резистивные;

б) магнитодиэлектрические;

в) полимерные;

г) лакокрасочные.


2. Самопроизвольное разрушение твердых материалов, вызванное химическими или электрохимическими процессами, развивающимися на их поверхности при взаимодействии с внешней средой, называется:

а) коррозией;

б) диффузией;

в) эрозией;

г) адгезией.


3. Наибольшей коррозионной устойчивостью обладают следующие металлы:

а) медь;

б) хром;

в) никель;

г) железо.


4. Химические свойства материалов определяются:

а) элементарным химическим составом;

б) типом химической связи;

в) концентрацией носителей заряда.


 


5. Какое из утверждений является верным:

а) скорость коррозии повышается при повышении температуры окружающей среды;

б) скорость коррозии повышается при понижении температуры окружающей среды;

в) скорость коррозии не зависит от температуры окружающей среды.


4. Принципы классификации материалов ЭС


1. Какие группы материалов выделяют в соответствии со степенью упорядоченности микрочастиц:

а) кристаллические;

б) аморфные;

в) конструкционные;

г) твердые растворы.


2. Основная классификация материалов ЭС базируется на следующих свойствах:

а) механические;

б) оптические;

в) электрические;

г) химические.


3. Указать параметр материала, в соответствии со значением которого, материал может быть отнесен к группе электротехнических:

а) твердость;

б) пластичность;

в) электропроводность;

г) светопоглощение.


4. Для каких видов материалов возможно наличие доменной структуры:

а) проводниковые;

б) полупроводниковые;

в) диэлектрические;

г) магнитные.


5. В соответствии со значением коэрцитивной силы материалы ЭС классифицируют на:

а) активные и пассивные диэлектрики;

б) высокопроводные и резистивные  материалы;

в) магнитомягкие и магнитотвердые материалы;

г) аморфные и кристаллические полупроводники.


6. В соответствии с зависимостью диэлектрической проницаемости от