Войти с помощью:


Проектированию интегральных микросхем и микропроцессоров - Курсовой проект
23-06-2011, 10:38 | Автор: savafso | Категория: Проектирование ЭС / Курсовые по ОПЭС
    Не нравится +5 Нравится



Курсовой проект по Проектированию интегральных микросхем и микропроцессоров. Вариант №25.

Госуниверситет - УНПК. Тугарев А.С. 2011 г.

СОДЕРЖАНИЕ

Скачать:
kp-pimimp.zip [975,42 Kb] (cкачиваний: 187)
ВВЕДЕНИЕ

Микроэлектроника – это область электроники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и применения электронных изделий, представляющих отдельные устройства с высокой степенью миниатюризации.

Создание микроэлектронной аппаратуры явилось результатом потребности развития промышленного выпуска изделий микроэлектронной техники на основе необходимости резкого увеличения масштабов их производства, уменьшения массы, занимаемого объема, повышения эксплуатационной надежности.

Современные требования кардинального повышения производительности труда и ускорения научно-технического прогресса являются главными рычагами в повышении производительности производства, и требует широкого применения компьютеров и роботов, внедрения гибкой технологии, позволяющей быстро и эффективно перестраивать производство на изготовление новых изделий, соответствующих современному уровню развития науки и техники.

Поставленные задачи требуют создания микроэлектронной элементной базы для реализации тех или иных функций устройств управления производством. Для этого необходимо обладать теоретическими и практическими знаниями в области конструирования и технологии микросхем.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения данного курсового проекта разработана конструкция ИМС и технологический маршрут ее изготовления в соответствии с заданной в техническом задании принципиальной электрической схемой.

Выбрана технология изготовления ГИМС исходя из анализа технического анализа. Метод напыления пленок – комбинированный.

Произведен расчет геометрических размеров тонкопленочных резисторов и конденсатора с учетом технологических ограничений.

Разработана топология и выбор корпуса ИМС. Разработка эскиза топологии ИМС и последующих вариантов топологии проведены согласно правилам проектирования [1]. Также произведен выбор корпуса 1206 (153.15 - 1) из числа унифицированных конструкций [1].

Произведена проверка качества топологии. В результате теплового расчета самым теплонагруженным элементом является транзистор КТ206А. температура внешней среды 50 оС не является предельно допустимой и она может быть увеличена на 16,2.

Вероятность того, что микросхема невыйдет из строя в течении 10000 часов, равна P(t)=99,3%

Таким образом, после конструктивных расчётов и технологических операций, данную интегральную микросхему осталось только маркировать и упаковать, так как все ИМС должны быть упакованы в индивидуальную потребительскую тару, исключающую возможность их повреждения и деформацию выводов, и уложены в картонные коробки, куда вкладывают паспорт. После завершения этой операции данная микросхема полностью готова к выполнению своих функций.



Поделиться:
Просмотров: 2 429  |  Комментариев: (0)  |  | Обсудить на форуме Обсудить на форуме
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.